Сообщения

1

FBTest / Re: Различия между FBTest и FBTest1.1

« : 10 Апрель 2015, 15:17:02 »

Добро, будем ждать схему.

2

FBTest / Различия между FBTest и FBTest1.1

« : 08 Апрель 2015, 15:52:13 »

Подскажите пожалуйста в чем разница между FBTest и FBTest1.1 кроме индикации конечно. Можно-ли достичь характеристик на старой версии таких же как и на новой, перепаиванием конденсатора, или других компонентов схемы?

3

FBTest / Re: Не проверяет трансформаторы инвертора БП и ламп

« : 10 Февраль 2012, 17:48:09 »

А нельзя ли схемку FBTest-а выложить?

4

Обо всём / Re: Проект нового прибора для проверки полупроводников

« : 25 Январь 2012, 16:32:01 »

Так я и не говорю что это последний вариант. Немного его доработать (хотя бы под ваш дисплей или какой-то другой), проработать программу, может чего-то своего добавить и будет прибор который будет пользоваться большим спросом. Реально нужный тестерок для определения типа полупроводников и приближенной оценки основных параметров. Да, положите статью если не трудно.

5

Обо всём / Проект нового прибора для проверки полупроводниковых

« : 19 Январь 2012, 18:49:29 »

Оклоло года назад приобрел у вас ESR-micro v4.0, отличный прибор, огромное спасибо. Но раговор не об этом.
Очень назрела необходимость в приборе наподобие вашего TRtest но с более расширенными функциями.
В один из дней копания в интернете нашел такую штуку:
Тестер полупроводниковых элементов - возможности:
 Типы тестируемых элементов      (имя элемента - индикация на дисплее):
    - NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
    - PNP транзисторы - на дисплее  "PNP"
    - N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
    - P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
    - N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее  "N-D-MOS"
    - P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
    - N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
    - P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
    - Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
    - Симисторы - на дисплее "Triak"
    - Диоды - на дисплее "Diode"
    - Двух катодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
    - Двух анодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
    - Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
    - Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
    - Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
    - Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
     При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
    Описание дополнительных параметров измерения:
    - H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
    - (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
    - Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
    - Прямое напряжение – Uf [mV]
    - Напряжение открытия  (для MOSFET) - Vt [mV]
    - Емкость затвора (для MOSFET) - C= [nF]
 
Ссылка на полный архив с описанием, схемой, прошивкой, печаткой: http://forum.cxem.net/index.php?s=fc8c58c2f47af82de429fc0f41bb45b1&app=core&module=attach&section=attach&attach_id=111022

По моему интересный прибор, хотелось бы узнать ваше мнение.