Оклоло года назад приобрел у вас ESR-micro v4.0, отличный прибор, огромное спасибо. Но раговор не об этом.
Очень назрела необходимость в приборе наподобие вашего TRtest но с более расширенными функциями.
В один из дней копания в интернете нашел такую штуку:
Тестер полупроводниковых элементов - возможности:
Типы тестируемых элементов (имя элемента - индикация на дисплее):
- NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
- Симисторы - на дисплее "Triak"
- Диоды - на дисплее "Diode"
- Двух катодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
- Двух анодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
- Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
- Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
- H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение – Uf [mV]
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt [mV]
- Емкость затвора (для MOSFET) - C= [nF]
Ссылка на полный архив с описанием, схемой, прошивкой, печаткой:
http://forum.cxem.net/index.php?s=fc8c58c2f47af82de429fc0f41bb45b1&app=core&module=attach§ion=attach&attach_id=111022По моему интересный прибор, хотелось бы узнать ваше мнение.
